UFS 4.1/3.1 – 滿足當今效能需求的正確選擇

KIOXIA 通用快閃記憶體儲存 （UFS） 的設計是行動應用的嵌入式儲存首選，具有突破性的讀取/寫入速度、低功耗和快速的應用程式啟動時間，可滿足各種數位產品的需求。 

鎧俠 UFS 解決方案符合 JEDEC/UFS 2.1/3.0/3.1 版本，以 JEDEC 標準封裝整合該公司的 BiCS FLASH™ 3D 快閃記憶體與控制器。

KIOXIA UFS 迎來嵌入式儲存技術的新時代，為需要更快速度和更高效率的應用提供超越先前管理快閃記憶體技術標準的創新突破。

KIOXIA UFS 4.1 記憶體產品（視訊） 此時會開啟一個模態視窗。

KIOXIA UFS 4.1 功能與優點

UFS 4.0 提供超高速嵌入式儲存傳輸速度，使新一代智慧型手機和行動應用能夠利用 5G 行動網路。UFS 4.0 整合 MIPI M-PHY 5.0 High-Speed Gear 5 和 UniPro2.0，並支援高達每通道 23.2Gbps 或每台裝置 46.4Gbps 的理論介面速度。UFS 4.0 與 UFS 3.1 向下相容，因此現有平台可以使用 UFS 4.0 中使用的最新一代快閃記憶體技術，同時整合所有現有的 UFS 3.1 功能。

產品特色

  • 快速序列介面速度
  • 更高的讀寫效能
  • 最佳電源效率
  • 支援全雙工
  • 低針腳數
  • 9x13mm BGA 封裝
  • JEDEC 標準
  • 256GB, 512GB, 1TB:

 

UFS 4.1 和 UFS 3.1 的效能比較

效能更快

UFS 4.1 裝置的循序讀取和寫入效能分別比 UFS 3.1 裝置提高了約 100% 和 150%。* 採用 WriteBooster 技術可提升循序寫入速度，以加快下載速度、加快高解析度影片錄製儲存速度，並加快行動遊戲速度。

* Kioxia Corporation 的 UFS3.1 512GB 裝置 “THGJFGT2T85BAIU”

UFS 4.0 尺寸比較

小型封裝尺寸

UFS 4.1 支援更小的 9mm x 13mm 封裝，與 UFS 3.1 相比，尺寸減少了 18%，從而在行動應用程式中節省了更多空間，使手機更小更時尚。

KIOXIA UFS 3.1 功能

  • 序列介面
  • 高速讀取/寫入
  • 低針腳數
  • 128GB、256GB、512GB
  • 11 x 13mm 153ball BGA 封裝
  • JEDEC 標準

UFS 4.0 與 UFS 3.1/2.1 比較

KIOXIA 提供 UFS 2.1、UFS 3.1 和 UFS 4.0，這是一系列具有整合控制器的高容量快閃記憶體。這些快閃記憶體解決方案提供 ECC 和其他控制功能，已針對每一代快閃記憶體的技術對這些功能進行最佳化。UFS 降低了主處理器的工作負載、簡化產品開發、縮短上市時間，並提高記憶體產品的易用性。

相較於 UFS 3.1/2.1，UFS 4.0 提供：

  • 更快的介面
  • 更高的讀寫效能
UFS 4.0 比 3.1 快 2 倍

為何選擇 KIOXIA UFS 4.0

KIOXIA UFS 發佈時間表 KIOXIA UFS 發佈時間表

KIOXIA 推出 UFS 5.0 快閃記憶體解決方案，延續其創新傳統，解決現代嵌入式儲存裝置對不斷增加的速度和效率的需求。KIOXIA UFS 5.0 解決方案以多年的技術領先地位和業界首創紀錄為基礎，專為要求苛刻的應用程式而設計，例如智慧型手機和其他高效能運算系統中的設備人工智慧。

KIOXIA 最新一代 UFS 5.0

UFS 5.0 將嵌入式儲存技術提升到全新境界，為未來的智慧型手機、平板電腦和採用人工智慧的行動裝置提供更快的傳輸速度和更高的電源效率。UFS 5.0 基於其前代產品的進步，採用 MIPI M-PHY 6.0 版高速Gear6 和 UniPro 3.0 版，支援 每個裝置的理論介面速度高達 10.8GB/s（1） （10，830 MB/s）。UFS 5.0 與 UFS 4.1 保持向後相容性，確保與現有平台無縫整合，同時為最新的快閃記憶體創新提供增強的效能和支援。

深入瞭解 KIOXIA UFS 5.0

KIOXIA UFS 4.0 主要技術

WriteBooster 功能

WriteBooster 透過將現有使用者資料區域作為臨時 SLC 緩衝區，在不犧牲容量的情況下增強寫入效能。主機可以在裝置組態設定最大 SLC 緩衝區大小，且可以持續將資料寫入緩衝區，直到緩衝區填滿為止。在主機操作期間，根據 5G 和其他應用的系統效能要求動態啟用此功能。

支援高速連結啟動序列 (HS-LSS)

在傳統 UFS 中，裝置與主機之間的連結啟動 (M-PHY 和 UniPro 初始化序列) 以低速 PWM-G1 (3~9Mbps*) 執行，但使用 HS-LSS 時，可以更快的 HS-G1 A 級 (1248Mbps) 執行。與傳統方法相比，預期將使連結啟動時間縮短約 70%。

** 僅限 UFS4.1 的關鍵技術
*2 PWM-G1 通訊速度視產品而定。

先進技術

KIOXIA UFS 利用高效能 BiCS FLASH™ 3D 快閃記憶體技術來最佳化效能。

KIOXIA UFS 主要應用

用戶端運算

筆記型電腦 / Ultrabook™ / 平板電腦 / 桌上型電腦 / 電競電腦

行動裝置

智慧型手機 / 智慧型手錶 / 智慧型眼鏡

消費性裝置

遊戲主機 / 智慧型電視 / 虛擬實境耳機 / 機上盒 / 數位錄影機 / 智慧喇叭 / 智慧家庭 / 穿戴式裝置 / 家庭健康 / 家庭網路

工業

自動化 / 數位醫療保健 / 運輸 / 監控 / 機器人 / 無人機 / 保全 / 數位電子看板 / 網路 (5G 區域網路) / PoS (銷售點)

了解與評估

KIOXIA UFS 4.0 行動和運算平台的未來首選儲存資訊圖表 （PDF ： 1.4MB） PDF將開啟在新的網頁視窗。 UPDATED
KIOXIA Universal Flash Storage (UFS) Product Brief (PDF : 315KB) PDF將開啟在新的網頁視窗。 UPDATED
New Use Cases for Universal Flash Storage Tech Brief (PDF : 918KB) PDF將開啟在新的網頁視窗。 UPDATED
Understanding the WriteBooster Feature Tech Brief (PDF : 487KB) PDF將開啟在新的網頁視窗。
Understanding TBW versus P/E Cycles in Managed Flash Memory Tech Brief (PDF : 1.5MB) PDF將開啟在新的網頁視窗。
Introducing Replay Protected Memory Block (RPMB) within the e-MMC and UFS Specifications Tech Brief (PDF : 382KB) PDF將開啟在新的網頁視窗。
Understanding ECC (Error Correction Code) in NAND Flash Memory Tech Brief (PDF : 448KB) PDF將開啟在新的網頁視窗。
Understanding Bad Block Management in NAND Flash Memory Tech Brief (PDF : 243KB) PDF將開啟在新的網頁視窗。
瞭解 NAND 快閃記憶體的耗損平均技術簡介 （PDF ： 324KB） PDF將開啟在新的網頁視窗。 NEW
瞭解 NAND 快閃記憶體中的垃圾收集技術簡介（PDF ： 873KB） PDF將開啟在新的網頁視窗。 NEW
瞭解 NAND 快閃記憶體技術中邏輯區塊位址到實體區塊位址轉譯簡介（PDF ： 983KB） PDF將開啟在新的網頁視窗。 NEW

UFS 4.1/3.1 規格

UFS 4.1

*表格可以水平捲動。

容量(2) 產品型號 UFS
版本		 最大資料
速率
(MB/s)		 電源電壓 運作
溫度
(℃)		 封裝尺寸
(mm)
VCC
(V)		 VCCQ
(V)		 VCCQ2
(V)
256GB THGJFRT1E45BATV 4.1 4640 2.4 至 2.7 1.14 至 1.26 - (4) -25 至 85 9.0x13.0x0.8
512GB THGJFRT2E48BATV 9.0x13.0x0.8
1TB THGJFRT3E88BATW 9.0x13.0x0.85

UFS 3.1

*表格可以水平捲動。

容量(2) 產品型號 UFS
版本		 最大資料
速率
(MB/s)		 電源電壓 運作
溫度
(℃)		 封裝尺寸
(mm)
VCC
(V)		 VCCQ
(V)		 VCCQ2
(V)
128GB: THGJFPT0E18BAIP 3.1 2320 2.4 至 2.7、
2.7 至 3.6		 1.14 至 1.26 - (4) -25 至 85 11.0x13.0x0.8
256GB THGJFPT1E28BAIP
512GB THGJFPT2E48BAIP
  1. 1Gbps 以每秒 1,000,000,000 位元計算。1 Gbps 的計算方式為 1,000,000,000 位元/秒，1 GB/秒的計算方式為 1,000,000,000 位元組/秒。這是從介面速度計算的理論值，不保證使用者裝置的速度。視主機裝置、讀寫狀況及檔案大小而定，讀寫速度可能改變。
  2. 產品容量為產品內記憶體晶片的密度，而非使用者可用於資料儲存的記憶體容量。由於負載資料區域、格式、損壞區塊和其他限制，消費者可用容量將較少，並且還可能因主機設備和應用程式而異。詳細資訊請參閱適用的產品規格。1KB 的定義 = 2^10 位元組 = 1,024 位元組。1Gb 的定義 = 2^30 位元 = 1,073,741,824 位元。1GB 的定義 = 2^30 位元組 = 1,073,741,824 位元組。1Tb = 2^40 位元 = 1,099,511,627,776 位元。
  3. 效能數據是以內部測試為基礎。結果可能取決於裝置和其他條件。
  4. 本產品支援 VCC 和 VCCQ 的雙電源供電。不需要 VCCQ2 。

 

  • JEDEC 是 JEDEC Solid State Technology Association 的註冊商標
  • MIPI®、M-PHY® 和 UniPro® 是 MIPI Alliance 的註冊商標。
  • Intel 是 Intel Corporation 或其子公司的商標。

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“Multi-level cell technology” is one of the main technologies realizing larger capacity flash memory. The 1 Gbit MLC NAND flash memory launched by KIOXIA in 2001 was the first application in the world of multi-level cell technology to a NAND flash memory product.