3D 快閃記憶體「BiCS FLASH™」

鎧俠為新一代儲存應用提供快閃型產品。鎧俠在 35 年前發明 NAND 快閃記憶體,現今為全球最大的快閃記憶體供應商之一,並持續推動這項技術的發展。

鎧俠 BiCS FLASH™ 技術以突破性的架構創新領先群倫

鎧俠 BiCS FLASH™ 第 8 代 3D 快閃記憶體採用 218 層和 CMOS 直接鍵合到陣列 (CBA) 晶圓鍵合技術,實現架構創新以滿足先進智慧型手機、PC、SSD 和資料中心等以資料為中心的應用需求。效能、高容量和成本效益至關重要時,BiCS FLASH™ 3D 快閃記憶體就是您的最佳選擇。

BiCS FLASH™ 第 8 代技術 – 為何採用 CBA?

憑藉 CBA 技術,每個 CMOS 晶圓和單元陣列晶圓,分別以最佳化的狀態製造,再鍵合在一起,以提供增強的位元密度和快速的 NAND I/O 速度。單元和週邊結構單獨製造可最佳化每個單元,消除單元可靠性和 I/O 速度之間的權衡,並在電源效率、效能、密度、成本效益和永續性方面獲得重大提升。*1

CBA 晶圓鍵合技術
BiCS FLASH™ 第 8 代增強功能 (與上一代相比) BiCS FLASH™ 第 8 代增強功能 (與上一代相比)

內部檢視

採用高精度晶圓鍵合的高密度 3D 快閃記憶體,為儲存設備帶來新價值

近年來,快閃記憶體製造商主要專注於開發技術,以增加記憶體單元層數並增加記憶體密度。每當發布最新一代快閃記憶體,層數都會有所增加,有些產品甚至多達超過 200 層。然而,就如鎧俠記憶體部門副總裁 Atsushi Inoue 所言:「增加記憶體單元層,只是增加容量和記憶體密度的一種方式,我們並非只專注於層數。」

BiCS FLASH™ 技術

BiCS FLASH™ 3D 快閃記憶體採用三維 (3D) 單元結構,使其能夠超越主流 2D (平面) 快閃記憶體的容量。

產品特色*

每個晶片的儲存密度高於傳統快閃記憶體

更高的讀取/寫入速度效能

可靠性高於 2D (平面) NAND

低耗電

*相較於 2D 平面技術

應用目標

BiCS FLASH™ 應用目標 BiCS FLASH™ 應用目標

資料中心效率

BiCS FLASH™ 3D 快閃記憶體旨在解決最具挑戰性的資料中心問題:

每個機架插槽的密度、能源效率、IOPS/QoS

3D 快閃記憶體運作原理

3D 快閃記憶體運作原理以 CG (電腦產生的) 動畫解釋,與陽光的照耀方式進行比較 (日文搭配有英文字幕)。

鎧俠可擴充的 BiCS FLASH™ 3D 快閃記憶體技術,將記憶體容量提升至目前可達到的最高等級*2

TLC (三層單元) 和 QLC (四層單元) 技術

BiCS FLASH™ 3D fl­ash 記憶體產品系列包括每單元 3 位元 (TLC) 和每單元 4 位元 (QLC) 技術。QLC 技術可將每個記憶體單元的資料位元數從三提升到四,大幅擴充容量。在 16 晶粒堆疊架構中,使用 BiCS FLASH™ QLC 技術,單一封裝可達到 4 TB 的容量。

密度與包裝

帶領硬碟邁向更高的記憶體密度和效率

鎧俠是第一個預見 SLC 技術,並準備成功地將 SLC 技術遷移至 MLC、從 MLC 遷移至 TLC,也在現在從 TLC 遷移至 QLC 的產業參與者之一。

鎧俠的 QLC 技術非常適合需要高密度、低成本儲存解決方案的應用。現今的 QLC 在單一封裝中實現最高密度,藉此減少佔用空間。

  1. 與上一代 BiCS FLASH™ 3D TLC 快閃記憶體相比,功能和典型的使用效能改進。
  2. 來源:鎧俠 - 2024 年 7 月 3 日新聞稿

產品應用

無論是車用,輕巧高效能的個人電腦或是雲端伺服器以及超大規模資料中心部署,鎧俠記憶體和儲存解決方案透過提供先進的高效能、高密度、低功耗、低延遲、可靠性等功能,實現新興應用的成功,並讓現有技術發揮其可預期的潛力。

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