3D 快閃記憶體「BiCS FLASH™」

鎧俠為新一代儲存應用提供快閃型產品。鎧俠在 35 年前發明 NAND 快閃記憶體，現今為全球最大的快閃記憶體供應商之一，並持續推動這項技術的發展。

鎧俠 BiCS FLASH™ 技術以突破性的架構創新領先群倫

鎧俠 BiCS FLASH™ 第 8 代 3D 快閃記憶體採用 218 層和 CMOS 直接鍵合到陣列 (CBA) 晶圓鍵合技術，實現架構創新以滿足先進智慧型手機、PC、SSD 和資料中心等以資料為中心的應用需求。效能、高容量和成本效益至關重要時，BiCS FLASH™ 3D 快閃記憶體就是您的最佳選擇。

鎧俠 BiCS FLASH™ 第 8 代 3D 快閃記憶體充分利用 CBA 技術 (影片 3:22) 此時會開啟一個模態視窗。
快閃記憶體技術的進步 (影片 4:06) 此時會開啟一個模態視窗。

快閃記憶體技術的進步

KIOXIA 的 BiCS FLASH™ 第8代3D快閃記憶體透過尋找垂直縮減和水平縮減之間的最佳平衡，有效提升每 GB 的密度，實現卓越的資本支出效率。

BiCS FLASH™ 第 8 代技術 – 為何採用 CBA？

憑藉 CBA 技術，每個 CMOS 晶圓和單元陣列晶圓，分別以最佳化的狀態製造，再鍵合在一起，以提供增強的位元密度和快速的 NAND I/O 速度。單元和週邊結構單獨製造可最佳化每個單元，消除單元可靠性和 I/O 速度之間的權衡，並在電源效率、效能、密度、成本效益和永續性方面獲得重大提升。*1

深入瞭解 CBA 晶圓鍵合技術 (鎧俠株式會社英文網站) 將開啟新的網頁視窗。
CBA 晶圓鍵合技術
BiCS FLASH™ 第 8 代增強功能 (與上一代相比) BiCS FLASH™ 第 8 代增強功能 (與上一代相比)

內部檢視

採用高精度晶圓鍵合的高密度 3D 快閃記憶體，為儲存設備帶來新價值

近年來，快閃記憶體製造商主要專注於開發技術，以增加記憶體單元層數並增加記憶體密度。每當發布最新一代快閃記憶體，層數都會有所增加，有些產品甚至多達超過 200 層。然而，就如鎧俠記憶體部門副總裁 Atsushi Inoue 所言：「增加記憶體單元層，只是增加容量和記憶體密度的一種方式，我們並非只專注於層數。」

閱讀更多 (鎧俠株式會社英文網站) 將開啟新的網頁視窗。

BiCS FLASH™ 技術

BiCS FLASH™ 3D 快閃記憶體採用三維 (3D) 單元結構，使其能夠超越主流 2D (平面) 快閃記憶體的容量。

深入瞭解 BiCS FLASH™ 技術 (鎧俠株式會社英文網站) 將開啟新的網頁視窗。

產品特色*

每個晶片的儲存密度高於傳統快閃記憶體

更高的讀取/寫入速度效能

可靠性高於 2D (平面) NAND

低耗電

*相較於 2D 平面技術

應用目標

BiCS FLASH™ 應用目標 BiCS FLASH™ 應用目標

資料中心效率

BiCS FLASH™ 3D 快閃記憶體旨在解決最具挑戰性的資料中心問題：

每個機架插槽的密度、能源效率、IOPS/QoS

3D 快閃記憶體運作原理

3D 快閃記憶體運作原理以 CG (電腦產生的) 動畫解釋，與陽光的照耀方式進行比較 (日文搭配有英文字幕)。

鎧俠可擴充的 BiCS FLASH™ 3D 快閃記憶體技術，將記憶體容量提升至目前可達到的最高等級*2

TLC (三層單元) 和 QLC (四層單元) 技術

BiCS FLASH™ 3D fl­ash 記憶體產品系列包括每單元 3 位元 (TLC) 和每單元 4 位元 (QLC) 技術。QLC 技術可將每個記憶體單元的資料位元數從三提升到四，大幅擴充容量。在 16 晶粒堆疊架構中，使用 BiCS FLASH™ QLC 技術，單一封裝可達到 4 TB 的容量。

密度與包裝

帶領硬碟邁向更高的記憶體密度和效率

鎧俠是第一個預見 SLC 技術，並準備成功地將 SLC 技術遷移至 MLC、從 MLC 遷移至 TLC，也在現在從 TLC 遷移至 QLC 的產業參與者之一。

鎧俠的 QLC 技術非常適合需要高密度、低成本儲存解決方案的應用。現今的 QLC 在單一封裝中實現最高密度，藉此減少佔用空間。

  1. 與上一代 BiCS FLASH™ 3D TLC 快閃記憶體相比，功能和典型的使用效能改進。
  2. 來源：鎧俠 - 2024 年 7 月 3 日新聞稿

產品應用

無論是車用，輕巧高效能的個人電腦或是雲端伺服器以及超大規模資料中心部署，鎧俠記憶體和儲存解決方案透過提供先進的高效能、高密度、低功耗、低延遲、可靠性等功能，實現新興應用的成功，並讓現有技術發揮其可預期的潛力。

應用

了解與評估

鎧俠 BiCS FLASH™ 3D 快閃記憶體 (PDF ：1.9MB) PDF將開啟在新的網頁視窗。
XL-FLASH：為追求速度而設計 (PDF : 693KB) PDF將開啟在新的網頁視窗。
鎧俠工業級快閃記憶體 (PDF ：89KB) PDF將開啟在新的網頁視窗。

支援

Contact
商用產品的相關諮詢與支援

如果您有任何技術疑問、想了解更多訊息、對樣品或採購商用產品（記憶體晶片、SSD）有興趣，請與我們聯繫。

相關連結

What is the 3D Flash Memory “BiCS FLASH™”? 將開啟新的網頁視窗。

In 2007, KIOXIA announced the world‘s first 3D flash memory technology. Presenting our cutting-edge technologies, along with the key points of innovation and our efforts toward further increases in capacity.

What is NAND Flash Memory? 將開啟新的網頁視窗。

KIOXIA invented the world’s first NAND flash memory in 1987. This is an explanation of the structure of flash memory and the mechanism of data storage.

What is Multi-level Cell Technology Realizing Larger Capacity Flash Memory? 將開啟新的網頁視窗。

“Multi-level cell technology” is one of the main technologies realizing larger capacity flash memory. The 1 Gbit MLC NAND flash memory launched by KIOXIA in 2001 was the first application in the world of multi-level cell technology to a NAND flash memory product.