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鎧俠 BiCS FLASH™ 3D 快閃記憶體
快閃記憶體創新新紀元
鎧俠逾在 35 年前發明了 NAND 快閃記憶體，時至今日已成為業界領先的快閃記憶體供應商之一，並持續推動技術向前邁進。2007 年鎧俠 BiCS FLASHTM 3D 快閃記憶體的問世，進一步鞏固了鎧俠作為技術創新領導者的聲譽，透過引入革命性的垂直堆疊與橫向縮放製程，大幅提升每單位面積的記憶體單元數量。這項突破性的快閃記憶體架構，有效回應了市場對更高儲存密度與效能的持續需求。
BiCS FLASH™ 3D 快閃記憶體 — 專為您的應用需求而生
鎧俠 3D 快閃記憶體「BiCS FLASHTM」是一項突破性的創新技術，能夠滿足以資料為核心之應用的需求，涵蓋先進智慧型手機、個人電腦及資料中心等領域。為因應高密度和高效能的需求，每一代 BiCS FLASHTM 均以前代產的改進成果與技術進展為基礎，並針對特定使用情境及資本規劃考量進行設計。您可以放心選擇鎧俠 3D 快閃記憶體產品，它將協助您滿足現代科技工具與應用對儲存和效能快速演進的需求。
BiCS FLASHTM 全系列產品均支持鎧俠的首要目標，為世界提供永續的技術解決方案。
BiCS FLASH™ 世代演進 — 以多元節點滿足多樣化需求
- 「gen」代表一代 BiCS FLASHTM。
如上方示意圖所示，鎧俠提供一系列的 BiCS FLASHTM 技術世代，每一代均針對密度、效能與電源效率等特定需求精心設計。 鎧俠的雙軸策略是一項同時涵蓋商業與技術層面的方針，透過開發兩條獨立的 3D 快閃記憶體產品以滿足不同的市場需求，為各類應用提供高效能快閃記憶體解決方案。
各類應用皆受益於 BiCS FLASHTM 技術
新一代 BiCS FLASH™ 快閃記憶體技術
第九代 BiCS FLASH™
卓越的效能與電源效率
第九代 BiCS FLASH™ 512GB 與 1TB TLC（Triple-Level Cell）專為滿足需要高效率能與卓越電源效率的低至中階儲存容量應用而設計。第九代 BiCS FLASH™ 產品運用現有的 CBA 與 OPS 技術，以提升生產效率並提供頂尖的快閃記憶體解決方案。
- 上圖所示為 1TB TLC 記憶體裝置。
第八代 BiCS FLASH™
3D 快閃記憶體的未來
第十代 BiCS FLASH™ 產品沿用第九代相同的 CMOS 技術，進一步擴增記憶體層數，以滿足未來對大容量、高效能解決方案的需求。第十代採用業界領先的 332 層堆疊，較第八代多出 1.5 倍。鎧俠持續推動在快閃記憶體位元密度與電源效率方面顯著進步。
創新技術，為更高容量鋪路
支援當代 BiCS FLASH™ 產品重大躍進的是多項突破性技術創新。透過快閃記憶體工程設計和組裝流程的持續精進，實現了密度、效能和電源效率的全面提升。深入了解 CBA、OPS 和 32 晶粒記憶體組裝如何共創 3D 快閃記憶體的未來。
產品應用
無論是車用，輕巧高效能的個人電腦或是雲端伺服器以及超大規模資料中心部署，鎧俠記憶體和儲存解決方案透過提供先進的高效能、高密度、低功耗、低延遲、可靠性等功能，實現新興應用的成功，並讓現有技術發揮其可預期的潛力。
了解與評估
支援
如果您有任何技術疑問、想了解更多訊息、對樣品或採購商用產品（記憶體晶片、SSD）有興趣，請與我們聯繫。
In 2007, KIOXIA announced the world‘s first 3D flash memory technology. Presenting our cutting-edge technologies, along with the key points of innovation and our efforts toward further increases in capacity.
KIOXIA invented the world’s first NAND flash memory in 1987. This is an explanation of the structure of flash memory and the mechanism of data storage.
