BiCS FLASH™ | TLC 與 QLC

鎧俠可擴充的 BiCS FLASH™ 3D 快閃記憶體技術，將記憶體容量提升至目前可達到的最高等級

鎧俠的 BiCS FLASH™ 是一種三維 (3D) 垂直快閃記憶體單元結構。 此結構使其能夠超越 2D (平面) 快閃記憶體的容量。鎧俠的 TLC 每單元 3 位元 1Tb (128GB*1) BiCS FLASH™，是業界首創的*2，不僅增強寫入/清除耐久度的可靠性，同時也提升了寫入速度。本公司也提供 1.33Tb BiCS FLASH™ 裝置，具備每單元 4 位元、四層 (QLC) 技術。這是首款使用此技術的 3D 快閃記憶體裝置。*3

深入瞭解 BiCS FLASH™ 3D 記憶體技術 將開啟新的網頁視窗。
5G 資料革命的先進快閃記憶體技術 此時會開啟一個模態視窗。

鎧俠 BiCS FLASH™ 3D 快閃記憶體技術的主要特點

  • 每個晶片的儲存密度高於傳統快閃記憶體
  • 更高的讀取/寫入速度效能
  • 可靠性高於 2D (平面) NAND
  • 低耗電

TLC (三層單元) 和 QLC (四層單元) 技術

鎧俠 BiCS FLASH™ 提供 1 Tb 每單元 3 位元、三層單元 (TLC) 和更高密度的 QLC 技術，可實現更大的晶粒容量。鎧俠實現了業界最大的單晶片容量* 4 1.33 TB (Tb)，16 晶片堆疊架構可在單一封裝中實現無與倫比的 2.66 TB 容量。

產品特色

  • 密集封裝選項
  • 高單晶片記憶體容量 (高達 2.66TB)
  • 有利的成本/效能方程式

主要應用

  • 企業儲存
  • 資料中心儲存
  • 用戶端運算
  • 行動裝置
  • 汽車
  • 消費者
  • 工業

帶領硬碟邁向更高的記憶體密度和效率

鎧俠是第一個預見 SLC 技術並準備成功地將 SLC 技術遷移至 MLC、從 MLC 遷移至 TLC，也在現在從 TLC 遷移至 QLC 的產業參與者。

鎧俠的 QLC 技術非常適合需要高密度、低成本儲存解決方案的應用。現今的 QLC 以單一套件中可用的最高密度來減少佔位面積。

鎧俠 QLC 技術可在單一封裝中實現最高密度快閃記憶體。
  1. 產品容量為產品內記憶體芯片的密度，而非用戶可用於資料儲存的記憶體容量。由於負載資料區域、格式、損壞區塊和其他限制，消費者可用容量將較少，並且還可能因主機設備和應用程式而異。詳細資訊請參閱適用的產品規格。1Gb 的定義 = 230 位元 = 1,073,741,824 位元。1GB 的定義 = 230 位元組 = 1,073,741,824 位元組。
  2. 2007 年 6 月 12 日新聞稿
  3. 2017 年 6 月 28 日新聞稿
  4. 2018 年 7 月 20 日新聞稿

產品應用

無論是車用，輕巧高效能的個人電腦或是雲端伺服器以及超大規模資料中心部署，鎧俠記憶體和儲存解決方案透過提供先進的高效能、高密度、低功耗、低延遲、可靠性等功能，實現新興應用的成功，並讓現有技術發揮其可預期的潛力。

應用

了解與評估

3D BiCS FLASH™：The Future of High-Density Flash Memory (PDF : 757KB) PDF將開啟在新的網頁視窗。
XL-FLASH：Designed for Speed (PDF : 693KB) PDF將開啟在新的網頁視窗。

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