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用戶端運算應用
無論是編輯社交媒體的影片片段、撰寫學校報告，或是為長篇電影進行 3D 算圖製作，用戶端應用在我們的工作和日常生活中無所不在。隨著 AI 筆電進入市場，電腦執行高效能與高效率任務的需求正不斷增長，面對如此龐大的市場區隔，需要一套既能深耕技術、又能廣泛覆蓋這些應用場景的解決方案。現今的用戶端運算裝置和系統專為滿足虛擬學習、網紅、遠端工作者以及進階使用者等各種應用的特定需求所打造。專為這些使用者所設計的快閃記憶體和 SSD 解決方案，有助於提供長效的電池壽命、身歷其境的遊戲體驗或轉瞬間的回應能力，讓使用者的生活更多采多姿。
用戶端運算的演變
從過去的資料數位化，到現今可隨時隨地工作，用戶端運算解決方案在提升人們日常生活方式上扮演了核心角色。多年前，整個家庭或學生共享一台電腦，但如今「個人電腦」一詞已名符其實。
過去，快閃記憶體與個人電腦運算的交集僅止於 USB 隨身碟，時至今日，以快閃記憶體為基礎的 SSD 在主流電腦中已無所不在。更重要的是，雲端技術的運用改變了我們對儲存的認知，進而重塑了那些我們最貼身的科技產品：無論是廚房中島上的平板、背包裡的 Chromebook，還是桌面上的電腦。
透過 SaaS、雲端與串流應用實現的商務、工作與娛樂行動化，已釋放了過往難以想像的潛力。未來的個人運算方案除了要求快速、行動力與可靠性，更需具備處理高負載任務的能力，以與大規模雲端伺服器接軌。未來的快閃記憶體與 SSD 儲存解決方案，必須與時俱進，跟上這一演進步伐。
鎧俠的用戶端運算願景
大眾或許看不見傳輸串流音樂的伺服器，也見不到驅動 SaaS 工作流的數據中心——在日常生活中，真正與人們朝夕相處的是個人運算解決方案。它讓單一裝置就能處理從職場協作到休閒娛樂的一切需求。鎧俠致力於將先進的記憶體與儲存技術注入個人電腦，釋放全新的創作潛能與自由。
我們對創新與品質的執著，是挑戰不可能、強化個人運算裝置並為終端用戶創造真實價值的關鍵。隨著全球持續利用生成式 AI 推動次世代數位轉型，我們眼前的機遇不僅令人振奮，更是充滿無限可能。
鎧俠* 在 1987 年發明了 NAND 快閃記憶體，過了數十年後，眾所皆知，我們的快閃記憶體產品在人們的生活中佔據了核心角色。透過全面的記憶體產品系列，我們獨特的優勢讓客戶能設計及開發用戶端運算解決方案，幫助塑造未來。除了 SSD，鎧俠的 UFS 和 e-MMC 記憶體產品也為新一代和非傳統用戶端運算應用程式提供各種解決方案，實現數位生活。
- 株式会社東芝的記憶體業務於 2017 年 4 月獨立出來，更名為東芝記憶體株式會社，而後於 2019 年 10 月改名為鎧俠株式會社。
鎧俠深知生產力和娛樂在人們生活中的重要性，而我們的用戶端級 SSD 旨在推動新一代的超薄型電腦、AI 筆電及高階電腦應用。從學生到內容創作者，再到遊戲玩家和專業人士，無論您正為哪種獨特的個人需求進行設計，鎧俠用戶端級 SSD 都能協助打造卓越的 PC 使用體驗。，鎧俠用戶端 SSD 都有助於為各種應用類型提供最佳的電腦體驗。
用戶端運算應用
平板電腦/二合一筆記型電腦
適合重視彈性和效率的解決方案。
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筆記型電腦
適用於行動電腦，包括 Chromebook 和 Ultrabook™ 裝置。
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桌上型電腦/多功能電腦
專為家用和商用桌上型電腦設計。
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針對遊戲玩家和專業人士的高階系統進行最佳化。
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相關技術
BiCS FLASH™
鎧俠的 BiCS FLASH™ 是一種 3D 垂直快閃記憶體單元結構。 此結構使其能夠超越 2D 快閃記憶體的容量。鎧俠的 TLC 每單元 3 位元 1Tb (128GB*1) BiCS FLASH™，是業界首創的*2，不僅增強寫入/擦除耐久度的可靠性，同時也提升了寫入速度。
- 產品容量為產品內記憶體晶片的密度，而非使用者可用於資料儲存的記憶體容量。由於負載資料區域、格式、損壞區塊和其他限制，消費者可用容量將較少，並且還可能因主機設備和應用程式而異。詳細資訊請參閱適用的產品規格。1Gb 的定義 = 230 位元 = 1,073,741,824 位元。1GB 的定義 = 230 位元組 = 1,073,741,824 位元組。
- 2007 年 6 月 12 日新聞稿
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In 2007, KIOXIA announced the world‘s first 3D flash memory technology. Presenting our cutting-edge technologies, along with the key points of innovation and our efforts toward further increases in capacity.
KIOXIA invented the world’s first NAND flash memory in 1987. This is an explanation of the structure of flash memory and the mechanism of data storage.
