鎧俠株式會社推出第 5 代 BiCS FLAS™

新一代 3D 快閃記憶體新增層數、提升容量和加大頻寬

  • 2020 年 1 月 31 日
  • 鎧俠株式會社

【2020 年 1 月 31 日東京訊】記憶體解決方案的全球領導者鎧俠株式會社，今日宣布已成功開發第五代 BiCS FLASH™ 3D 快閃記憶體，採用 112 層垂直堆疊架構。鎧俠預計在 2020 年第一季*1，針對特定應用的新裝置開始進行樣品出貨，該裝置採用 512 Gbit (64 GB) 容量和每單元 3 位元 (3 階儲存單元，TLC) 技術。新裝置能滿足多種應用不斷成長的需求，包括傳統行動裝置、消費性和企業級固態硬碟，以及全新 5G 網路、人工智慧和自動駕駛車所實現的新興應用。

BiCS FLASH™ three-dimensional (3D) flash memory

未來，鎧俠將會在容量更大的裝置應用全新第五代製程技術，例如 1 Tbit (128 GB) TLC 和 1.33 Tbit 每單元 4 位元 (四階儲存單元，QLC) 裝置。

鎧俠將創新的 112 層堆疊製程技術，結合先進的電路和製程技術，使單元陣列密度比 96 層堆疊製程提升大約 20%。全新技術可降低每位元的成本，並提升每矽晶圓記憶體容量的製造能力。此外，該技術也讓介面速度提升 50%，並提供更高的編程效能和更低的讀取延遲。

自從在 2007 年宣布推出全球首項*2原型 3D 快閃記憶體技術，鎧俠已繼續開發最先進的 3D 快閃記憶體技術，並且積極革新 BiCS FLASH™，以更小的裸晶尺寸滿足對更高容量的需求。

第五代 BiCS FLASH™ 是與技術和製造合作夥伴威騰電子 (Western Digital Corporation) 合作開發。製造將於鎧俠的四日市工廠，以及新建的北上市工廠進行。

備註:

  1. 部分功能尚未完成測試，裝置特性未來可能有所變更。
  2. 資料來源：鎧俠株式會社，以 2007 年 6 月 12 日資料為準。

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