東芝記憶體株式會社推出全新 NAND 快閃記憶體產品，適用於支援高速資料傳輸的嵌入式應用

第二代序列介面 NAND 產品加入系列陣容，效能與容量再升級

  • 2019 年 9 月 26 日

【東京訊】記憶體解決方案的全球領導者 – 東芝記憶體株式會社，今日宣布推出適用於嵌入式應用的第二代 NAND 快閃記憶體產品陣容，提升的效能與容量[1] 可支援高速資料傳輸。全新序列介面 NAND 產品與廣泛使用的序列周邊介面 (SPI) 相容，並且適合多種消費者、工業和通訊應用。樣品將於今天開始出貨，並計劃於十月開始量產。

Toshiba Memory Corporation: Second-generation Serial Interface NAND Products

隨著物聯網和通訊應用的裝置越來越小，可處理高速資料傳輸的低針腳數小型封裝大容量快閃記憶體的需求也日益增長。序列介面 NAND 產品與廣泛使用的 SPI 相容，因此可以用作低針腳數的小型封裝大容量 SLC NAND 快閃記憶體產品。

為了支援高速資料傳輸，全新第二代序列介面 NAND 產品的效能比起現有的第一代產品[1] 更加優異，包括 133MHz 的操作頻率和 4 倍編寫模式。此外，產品陣容也加入了 8 gigabit (1 gigabyte) [2] 裝置，以因應對大容量記憶體的需求。

新產品概要

* 表格可水平捲動。

產品型號 容量 I/O 電壓 封裝 量產時程
TC58CVG0S3HRAIJ 1Gb x1、x2、x4 3.3V 8pin
WSON[3]
(6mm x 8mm)		 Oct. 2019
TC58CYG0S3HRAIJ 1.8V Oct. 2019
TC58CVG1S3HRAIJ 2Gb 3.3V Oct. 2019
TC58CYG1S3HRAIJ 1.8V Oct. 2019
TC58CVG2S0HRAIJ 4Gb 3.3V Oct. 2019
TC58CYG2S0HRAIJ 1.8V Oct. 2019
TH58CVG3S0HRAIJ 8Gb 3.3V Dec. 2019
TH58CYG3S0HRAIJ 1.8V Dec. 2019

主要特色

容量

1Gb, 2Gb, 4Gb, 8Gb

分頁大小

2KByte (1Gb, 2Gb), 4KByte (4Gb, 8Gb)

介面

序列周邊介面模式 0、模式 3

電源電壓

2.7 to 3.6V, 1.7 to 1.95V

操作溫度範圍

-40 ℃ to 85 ℃

特色
  • 133MHz 操作頻率
  • 4 倍編寫/讀取模式
  • 高速循序讀取功能
  • ECC 功能 (開啟/關閉，位元轉換數報告)
  • 資料保護功能 (可保護特定的區塊)
  • 參數頁面功能 (可將詳細資訊輸出至裝置)

備註
[1] 相較於東芝記憶體株式會社現有的第一代序列介面 NAND 產品。東芝記憶體調查。
[2] 產品容量的識別是根據產品內的記憶體晶片容量，而非終端使用者可用來儲存資料的記憶體容量。使用者可用容量會因為額外負荷資料區域、格式化、故障區塊和其他限制而減少，也可能依據不同的主機裝置和應用而產生差異。如需詳細資訊，請參閱適用的產品規格。
[3] WSON：超級輕薄小尺寸無引腳封裝

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