鎧俠和 Sandisk 發表全新高效能 QLC 3D 快閃記憶體技術，為 AI 及資料密集型應用而生

創新第 9 代架構，結合先進 CMOS 技術與成熟的記憶體陣列平台，因應 AI 快速發展步調，同時實現資本效率化的 NAND 微縮

  • 2026 年 8 月 12 日
  • 鎧俠株式會社
  • Sandisk Corporation

美國加州密爾皮塔斯與日本東京，2026 年 8 月 12 日 — 鎧俠控股株式會社（TSE：285A）子公司鎧俠株式會社和 Sandisk Corporation（Nasdaq：SNDK）今日共同發表全新第 9 代高效能 2Tb QLC 3D 快閃記憶體技術，旨在因應支援 AI 驅動基礎設施日益成長的儲存需求。此技術展現架構創新如何協助儲存數跟上 AI 驅動工作負載所需的快速發展步調，同時支援更具資本效率的製造模式。

此新技術運用兩家公司的 CMOS 直接鍵合陣列（CBA）架構*1，結合先進的 CMOS 晶圓與成熟的記憶體陣列平台，並搭配重大的設計與裝置創新，為雲端密集資料密集型應用帶來效能提升以提供效能提升，並加速先進儲存解決方案的部屬。與前一代第 8 代 2Tb QLC 相比，新技術透過 6 平面架構及效能強化，實現更高的讀寫頻寬，並提升讀寫能源效率。此外，NAND 介面速度達 4.8Gb/s*2，較第 8 代裝置提升 33%。

鎧俠技術長宮島秀史（Hideshi Miyajima）表示：「隨著 AI 持續成為推動社會進步的核心力量，其應用範圍正從生成式 AI 擴展至代理式 AI 和實體 AI，資料的運用也越來越多樣化且複雜。透過結合成熟的記憶胞技術與最新 CMOS 技術，鎧俠正加速推動第 9 代快閃記憶體的開發。此方法使我們能在維持相對較低投資成本的同時，實現高效能表現。 」

Sandisk 技術長 Alper Ilkbahar 表示：「AI 的快速普及正加速儲存介面的轉型，帶動對能以更快速演進（相較於過去技術週期）之記憶體技術的需求。我們的第 9 代 QLC 技術展現了 CBA 架構的獨特靈活性，透過獨立推進 CMOS 和記憶體技術加速創新。我們正在以卓越的資本效率，更快地將新技術能力推向市場。」

第 9 代 QLC 3D 快閃記憶體技術的發表，標誌著 3D 快閃記憶體技術藍圖發展的重要里程碑，並彰顯鎧俠與 Sandisk 兩家公司持續穩固的合作關係。透過最大化 發揮 CBA 平台的靈活性，兩家公司正為 NAND 技術創新開創嶄新契機，協助客戶因應 AI 時代日益增長的儲存需求。

  1. 一種將各個 CMOS 晶圓與記憶褒陣列晶圓分別依各自最佳化條件製造後，再予以鍵合的技術。
  2. 1Gb/s 是以每秒 1,000,000,000 位元計算。此數值是在鎧俠株式會社 的特定測試環境下取得；實際使用結果可能因使用條件而異。
  • 產品容量為產品內記憶體晶片的密度，而非使用者可用於資料儲存的記憶體容量。由於負載資料區域、格式、損壞區塊和其他限制，消費者可用容量將較少，並且還可能因主機設備和應用程式而異。詳細資訊請參閱適用的產品規格。1KB 的定義 = 2^10 位元組 = 1,024 位元組。1Gb 的定義 = 2^30 位元 = 1,073,741,824 位元。1GB 的定義 = 2^30 位元組 = 1,073,741,824 位元組。1Tb = 2^40 位元 = 1,099,511,627,776 位元。
  • 公司名稱、產品名稱和服務名稱可能是第三方公司的商標。

 

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