鎧俠和 Sandisk 全新 3D 快閃記憶體技術，實現業界最高 QLC NAND 位元密度

美國加州聖塔克拉拉，Future of Memory and Storage Conference（FMS）— 2026 年 8 月 4 日 — 鎧俠控股株式會社（TSE：285A）子公司鎧俠株式會社和 Sandisk Corporation（Nasdaq：SNDK），今日共同發表次世代四層是儲存單元（QLC）3D 快閃記憶體技術，相較於第 8 代技術，位元密度最高提升 60%，突破 37 Gb/mm²，在位元密度、效能及能源效率方面樹立業界新標準^*1。

此新世代技術運用兩家公司革命性的 CMOS 直接鍵合陣列（CBA）技術^*2，將 CMOS 邏輯電路與記憶體陣列分別製造於不同晶圓後，再以高精度晶圓對晶圓對位技術進行鍵合，相較於第 8 代 3D 快閃記憶體，讀寫寬頻更為提升，並成為業界首款達到 4.8 Gb/s^*3 介面速度的 QLC 3D 快閃記憶體技術。

此外，額外的介面強化技術提升了 I/O 資料輸出傳輸的能源效率。這些大幅度的能源效率升級，直接因應現代 AI 及雲端基礎設施在功耗與散熱方面所面臨的挑戰。

鎧俠技術長宮島秀史（Hideshi Miyajima）表示：「隨著 AI 持續成為推動社會進步的核心力量，其應用範圍正從生成式 AI 擴展至代理式 AI 和實體 AI，資料的運用也越來越多樣化且複雜。QLC 技術能有效率地儲存快速成長的資料量，有助於為 AI 系統提供更卓越的效能與可擴充性。鎧俠將加速推動採用 QLC 技術之第 10 代快閃記憶體產品的商業化發展。

Sandisk 的技術長 Alper Ilkbahar 表示：「隨著 AI 訓練，推論及超大規模資料中心工作負載，帶動資料生成量前所未有的成長，儲存產業面臨提供更大容量、更高效能及更佳能源效率的日益龐大壓力，透過重新定義 QLC NAND 的效能與效率邊界，我們的第 10 代 QLC 3D 快閃記憶體技術，在密度、頻寬及能源效率方面同步實現提升，為高容量快閃儲存樹立全新典範，為次世代基礎設施應用提供可擴充的基礎。

• 332 層架構與最佳化平面配置設計，相較於第 8 代技術，位元密度最高提升 60%，達 37 Gb/mm²。
• 4.8 Gb/s^*3 NAND 介面由切換 DDR6.0 和獨立命令位址 （SCA） 通訊協定啟用，以釋放快速介面的全部潛力。
• CMOS 直接鍵合陣列（CBA）架構強化密度微縮、效能及製造效率。
• 電源隔離低分接終端（Power-Isolated Low-Trapped Termination, PI-LTT）提升 I/O 資料輸出傳輸之能源效率。