鎧俠開始出貨第 9 代 BiCS FLASH™ 1Tb TLC 記憶體樣品

新款裝置結合現有記憶體胞技術與先進 CMOS 技術，實現高投資效益

  • 2026 年 7 月 30 日
  • 鎧俠株式會社

全球記憶體解決方案領導廠商鎧俠株式會社，今日宣布已開始出貨採用第 9 代 BiCS FLASH™ 3D 快閃記憶體技術1，1Tb（Terabit）三層式儲存單元（TLC）記憶體裝置樣品。此裝置設計用於支援 AI PC 及智慧型手機等需要中低容量儲存並要求高效能的應用產品。

鎧俠持續以自主創新 CBA（CMOS 直接鍵合陣列）技術2 和 OPS（On Pitch Select Gate）技術3 為基礎的雙軸策略。在其獨特的雙軸策略下，鎧俠同時推進兩條不同的產品線：以相對較低投資成本實現高效能的第 9 代解決方案，以及運用先進堆疊技術以達到大容量與卓越效能的第 10 代技術。

全新第 9 代 BiCS FLASHTM 1Tb TLC 裝置，是以第 8 代 BiCS FLASHTM 技術為基礎和 230 層堆疊製程並結合先進 CMOS 技術開發而成，NAND 介面速度達 4.8Gb/s，較第 8 代裝置提高了 33%，效能與第 10 代裝置相當4。

秉持「以記憶體提升世界」的使命，鎧俠持續致力於推動技術創新、強化全球合作夥伴關係，並提供支撐現代 AI 基礎設施的先進儲存界決方案。

  1. 品用於功能性確認之用，量產版本可能會有所不同。
  2. 一種將各個 CMOS 晶圓與記憶褒陣列晶圓分別依各自最佳化條件製造後，再予以鍵合的技術。此技術自第 8 代 BiCS FLASHTM 產品起採用。
  3. 透過移除未使用的記憶體孔洞，以縮短位元線並降低字元線電容的技術。此技術自第 8 代 BiCS FLASHTM 產品起採用。
  4. 1Gb/s 是以每秒 1,000,000,000 位元計算。此數值是在 Kioxia Corporation 的特定測試環境下取得；實際使用結果可能因使用條件而異。

 

註：

  • 產品容量為產品內記憶體晶片的密度，而非使用者可用於資料儲存的記憶體容量。由於負載資料區域、格式、損壞區塊和其他限制，消費者可用容量將較少，並且還可能因主機設備和應用程式而異。詳細資訊請參閱適用的產品規格。1Gb = 2^30 位元 = 1，073，741，824 位元。
  • 讀寫速度是在鎧俠株式會社的特定測試環境中獲得的最佳值，且鎧俠株式會社不保證個別裝置中的讀寫速度。讀取和寫入速度可能會因所使用的裝置而異。
  • 公司名稱、產品名稱和服務名稱可能是第三方公司的商標。

 

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