Please select your location and preferred language where available.
鎧俠開始出貨第 10 代 BiCS FLASH™ 快閃記憶體樣品：兼具高性能、高容量與超低功耗
計畫於北上工廠第二廠區進行量產
- 2026 年 7 月 3 日
- 鎧俠株式會社
全球記憶體解決方案領導廠商鎧俠株式會社，今日宣佈，已開始出貨採用其第 10 代 BiCS FLASH™ 3D 快閃記憶體技術1 的 1Tb（兆位元）三層儲存單元（TLC） 記憶體裝置的樣品。這些產品未來將主要整合至公司的企業級和資料中心固態硬碟（SSD）中，以強化鎧俠的產品陣容，進而滿足因 AI 儲存發展而日益增長的高性能、高容量以及低功耗需求。這些產品未來將在日本岩手縣的鎧俠北上（Kitakami）工廠第二廠區，使用其尖端先進設備進行製造。
透過引進自第 8 代 BiCS FLASH™ 起便採用的創新 CMOS 晶圓鍵合（CBA）技術2 以及 On Pitch Select Gate（OPS）技術3，第 10 代技術實現了高達 4.8 Gb/s 的 NAND 介面傳輸速度，比第 8 代提升了 33%。此外，藉由堆疊至 332 層以改善水平密度，其位元密度（Bit density）大幅提升 59%。在功耗表現上，寫入和讀取的能源效率也分別提升了 18% 和 30%，有助於降低資料中心與企業及基礎設施的整體耗能。
在鎧俠獨特的雙軸策略下，公司正同步推進兩條不同的產品線：其一為第 9 代解決方案，能在相對較低的投資成本下提供高性能代表；其二為第 10 代技術，利用先進的層數堆疊來實現極大的容量與卓越的性能。
秉持著「以『記憶體』提升世界」的使命，鎧俠將持續致力於推動技術創新、強化全球合作夥伴關係，並提供驅動現代化 AI 基礎設施所需的先進儲存解決方案。
- 樣品用於功能檢查目的，規格可能與量產時不同。
- 在這項技術中，每個 CMOS 晶圓和單元陣列晶圓以最佳化條件分別製造，然後鍵合在一起。
- 藉由移除未使用的記憶孔，可以縮短位元線並降低字線電容的技術。
- 1Gb/s 以每秒 1,000,000,000 位元計算。此值是在我們特定的測試環境中取得，且可能會因使用條件而有所不同。
- 資料傳送時的功耗效率也包含在內。
註：
- 產品容量為產品內記憶體晶片的密度，而非使用者可用於資料儲存的記憶體容量。由於負載資料區域、格式、損壞區塊和其他限制，消費者可用容量將較少，並且還可能因主機設備和應用程式而異。詳細資訊請參閱適用的產品規格。1Gb = 2^30 位元 = 1，073，741，824 位元。
- 讀寫速度是在鎧俠株式會社的特定測試環境中獲得的最佳值，且鎧俠株式會社不保證個別裝置中的讀寫速度。讀取和寫入速度可能會因所使用的裝置而異。
- 公司名稱、產品名稱和服務名稱可能是其各自公司的商標。
- This announcement has been prepared to provide information on our business and does not constitute or form part of an offer or invitation to sell or a solicitation of an offer to buy or subscribe for or otherwise acquire any securities in any jurisdiction or an inducement to engage in investment activity nor shall it form the basis of or be relied on in connection with any contract thereof.
- Information in this document, including product prices and specifications, content of services and contact information, is correct on the date of the announcement but is subject to change without prior notice.
