鎧俠開始出貨第九代 BiCS FLASH™ 512Gb TLC 裝置的樣品

結合既有記憶體單元和先進 CMOS 技術，實現最大化投資效率

  • 2025 年 7 月 25 日
  • 鎧俠株式會社

全球記憶體解決方案領導廠商鎧俠株式會社，今日宣布開始出貨 512Gb 三層單元 (TLC) 記憶體裝置的樣品(1)。此裝置採用第九代 BiCS FLASH™ 3D 快閃記憶體技術，預計於 2025 年會計年度開始量產。此裝置設計旨在支援需要高效能和卓越電源效率的中低儲存容量應用，並且也將整合至鎧俠企業級 SSD 中，特別是針對提高 AI 系統 GPU 效率而打造的 SSD 產品。

鎧俠持續追求雙主軸策略，以因應尖端應用的多樣化需求，同時供應具競爭力的產品，協助實現最大化的投資效率。兩個主軸分別為：

  • 第九代 BiCS FLASH™ 產品：採用 CBA (CMOS 直接鍵合到陣列) 技術(2)，將既有記憶體單元技術(3) 與最新的 CMOS 技術整合，進而在提高效能的同時降低生產成本。
  • 第十代 BiCS FLASH™ 產品：擴充記憶體層數量，可滿足未來對大容量高效能解決方案所預期的需求。

全新第九代 BiCS FLASH™ 512Gb TLC 採用 120 層堆疊製程開發，其乃是基於第五代 BiCS FLASH™ 技術和先進 CMOS 技術；與鎧俠既有的 BiCS FLASH™ 產品(4) 相比，具有相同的 512Gb 容量，但效能顯著提升，包括：

  • 寫入效能：提升 61%
  • 讀取效能：提升 12%
  • 能源效率：寫入期間提升 36%，讀取期間提升 27%
  • 資料傳輸速度：Toggle DDR6.0 介面可提供 3.6Gb/s(5) NAND 介面的高速效能
  • 位元密度：透過平面縮放的進步增加 8%

此外，鎧俠已確認 512Gb TLC 在示範條件下，能以高達 4.8Gb/s(5) 的 NAND 介面速度運作。產品陣容將根據市場需求決定。

鎧俠致力於加強其全球合作夥伴關係並追求進一步創新，以便繼續供應最佳解決方案，滿足客戶的各種需求。

  1. 樣品用於功能檢查目的，規格可能與量產時不同。
  2. 在這項技術中，每個 CMOS 晶圓和單元陣列晶圓以最佳化條件分別製造，然後鍵合在一起。
  3. 第五代 112 層 BiCS FLASH™ 和第八代 218 層 BiCS FLASH™ 技術。全新第九代 BiCS FLASH™ 產品系列將視型號整合其中一種技術。
  4. 第六代 BiCS FLASH™，與本產品部署相同的 512Gb TLC 產品。
  5. 1Gbps 以每秒 1,000,000,000 位元計算。此值是在我們特定的測試環境中取得，且可能會因使用條件而有所不同。

註：

  • 凡提及鎧俠產品：產品容量為產品內記憶體晶片的密度，而非使用者可用於資料儲存的記憶體容量。由於負載資料區域、格式、損壞區塊和其他限制，消費者可用容量將較少，並且還可能因主機設備和應用程式而異。詳細資訊請參閱適用的產品規格。1Gb 的定義 = 2^30 位元 = 1,073,741,824 位元。
  • 讀寫速度是在鎧俠的特定測試環境中獲得的最佳值，且鎧俠不保證個別裝置中的讀寫速度。讀寫速度和可能取決於所使用的裝置和所讀取或寫入的檔案大小。
  • 公司名稱、產品名稱和服務名稱可能是第三方公司的商標。

 

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