KIOXIA 以 3D NAND 快閃記憶體發明獲 FMS 授予終身成就獎

【2024 年 7 月 25 日美國加州聖荷西訊】NAND Flash 快閃記憶體的發明者 KIOXIA 榮獲 FMS：記憶體與儲存的未來 2024 年終身成就獎。由 Hideaki Aochi、Ryota Katsumata、Masaru Kito、Masaru Kido 和 Hiroyasu Tanaka 組成的 KIOXIA 工程團隊，因其在 3D 快閃記憶體開發和商業化方面的開創性成果，而榮獲此享有盛譽的獎項。這項突破性技術已成為各種運算應用的基礎，包括先進的智慧型手機、個人電腦、固態硬碟、資料中心、人工智慧和工業。          

KIOXIA 於 2007 年在 VLSI 研討會上發表 BiCS FLASH^TM 3D 快閃記憶體技術的概念。推出原型後，KIOXIA 持續投入開發以最佳化量產技術，最終於 2015 年推出全球首款 256 Gb、48 層 3D 快閃記憶體。

FMS 主席 Chuck Sobey 表示：「KIOXIA 在 3D 快閃記憶體領域的創新徹底改變了資料儲存，從單純既有存在的技術，轉變為滿足現代運算需求的突破性解決方案。我們很高興能展示這項重要貢獻，並期待看到未來的發展。」

BiCS FLASH 3D 快閃記憶體採用 3D 堆疊結構，可提升容量與效能，成為儲存產業推動變革的力量。該技術實現了更高密度的儲存解決方案，同時維持可靠性和效率，顯著增強資料中心、消費性電子產品和行動裝置的功能，並為快閃記憶體技術樹立新標準。透過利用垂直堆疊，KIOXIA 的 BiCS FLASH 技術克服了平面 NAND 快閃記憶體的侷限性，為記憶體儲存解決方案的未來發展奠定了基礎，並鞏固鎧俠株式會社作為業界領導者的地位。

鎧俠株式會社記憶體部門副總裁暨技術主管 Atsushi Inoue 表示：「KIOXIA 在 3D 快閃記憶體領域的技術創新，絕無言過其實的疑慮。我們的技術在業界創造了新的典範，使快閃記憶體能夠大幅提高每個單元、裸晶和封裝的儲存密度。我很高興看到我們的成就得到認可，並期待見證在未來幾年持續不減的影響力。」

鎧俠株式會社先進記憶體開發中心資深研究員 Ryota Katsumata 表示：「我的KIOXIA 工程師同仁是激勵人心的存在，不僅因為他們的技術成就，也因為他們藉由致力於持續創新並支持周圍的技術人員，推動領域發展。我們的貢獻不僅產生了深遠的影響，還培養了社群內的創新和協作精神。很高興能看到這樣的領導力和願景得到認可。」

此 3D 快閃記憶體技術還獲得日本 2020 年全國發明表揚計畫的帝國發明獎、日本文部科學省 2023 年科學技術獎，以及 2021 年 IEEE Andrew S. Grove 獎。

關於鎧俠株式會社

鎧俠是記憶體解決方案的全球領導廠商，致力開發、生產和銷售快閃記憶體及固態硬碟 (SSD)。2017 年 4 月，其前身東芝記憶體從東芝株式會社獨立出來，該公司於 1987 年發明 NAND 快閃記憶體。鎧俠致力推出可為客戶帶來更多選擇並為社會創造更多價值的產品、服務和系統，期望能透過記憶體技術促進世界發展。鎧俠的創新 3D 快閃記憶體技術 BiCS FLASH™ 正在形塑高密度儲存應用的未來，包括先進的智慧型手機、電腦、SSD、汽車及資料中心。

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