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鎧俠開始營運兩座新研發設施
- 2023 年 6 月 1 日
- 鎧俠株式會社
鎧俠株式會社今日開始營運兩座新研發設施：橫濱科技園區旗艦大樓及新子安前沿科技研發中心，強化該公司在快閃記憶體和固態硬碟 (SSD) 方面的研發能力。未來神奈川縣的其他研發部門也將遷移至這些新的研發中心，以提高研究效率並促進技術創新的發展。
新旗艦大樓落成後，橫濱科技園區的佔地增加近一倍，讓鎧俠得以擴展評估快閃記憶體和 SSD 產品的能力，進而提升整體產品開發和品質。旗艦大樓配備環保設施，並獲得 ZEB-Ready 認證*1，該認證頒發給透過提高能源效率降低 50% 以上能耗的建築。
新子安前沿科技研發中心將成為眾多半導體領域的尖端基礎研究中心，包括新材料、製程和裝置等領域。該據點設有最先進的無塵室，並採用環保設計。
鎧俠株式會社技術長百冨正樹表示：「我們很高興鎧俠的新研發設施開始營運。自發明 NAND 快閃記憶體以來，鎧俠已領導記憶體產品創新超過 35 年。有了這兩個新設施，我們將進一步加速和深入進行研發活動，提供各類產品、服務和技術，以支持未來的數位社會。」
除了新一代記憶體技術之外，鎧俠還從事各種領域的研發活動，包括面向以資料為中心的運算系統和 AI 等數位轉型的系統技術。鎧俠與日本國內外的大學、研究機構和公司一起促進開放式創新。
鎧俠的使命是以「記憶體」驅動世界前進，致力於開發能提升其快閃記憶體和 SSD 事業競爭力的計畫。
橫濱科技園區旗艦大樓
地點：横浜市栄区笠間2丁目
建物規模：6 層
總樓地板面積：約 40,000 m2
新子安前沿科技研發中心
地點：横浜市神奈川区守屋町3丁目
建物規模：4 層
總樓地板面積：約 13,000 m2
- ZEB 代表 net-Zero Energy Building (淨零能源建築)。「ZEB-Ready」是日本建築能效標示制度的等級之一，認證提供舒適室內環境，並降低標準主要能源消耗達 50% 以上 (不含可再生能源) 的建築。
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