Kioxia 員工榮獲日本教育、文化、體育、科學與技術部頒發科學與技術獎

全球記憶體解決方案領導廠商鎧俠株式會社，今日宣布其員工因發明高密度 3D 快閃記憶體裝置及其製造方法，而獲教育、文化、體育、科學與技術部頒發科學與技術獎，該發明可大幅提升記憶體容量並降低製造成本。

該年度獎項由教育、文化、體育、科學和技術部頒發，授獎對象為在研發方面取得傑出成就，並促進日本全國對科學和技術之理解的人士。

• Ryota Katsumata，記憶體部門進階記憶體開發中心總經理助理
• Masaru Kito，記憶體部門進階記憶體開發中心集團經理
• Hideaki Aochi，記憶體技術研發研究所裝置技術研發中心資深專家
• Masaru Kido，記憶體開發策略部門首席專員
• Hiroyasu Tanaka，記憶體開發策略部門首席專員

快閃記憶體用於各種資料儲存應用，包括智慧型手機和資料中心，預期需求量將成長。

獲獎的 3D 快閃記憶體技術是一種突破性的方法，可大幅簡化垂直堆疊記憶體單元的製程，實現高密度的 3D 快閃記憶體。傳統堆疊需要重複沉積及圖案化製程來製造記憶體單元陣列，但此技術首先堆疊記憶體單元的材料，接著使用一次性圖案化製程同時製造各單元，藉此顯著減少製程步驟。隨著傳統 2D 快閃記憶體採用的微型化技術接近其物理極限，高容量、高效能 3D 快閃記憶體技術越來越常應用於市場領先的產品中。2015 年，3D 快閃記憶體 BiCS FLASH™ 商業化之後，鎧俠持續努力提高堆疊密度。鎧俠於上個月宣布推出 218 層高容量、高效能 3D 快閃記憶體 BiCS FLASH™。

這項 3D 快閃記憶體技術也獲得 2020 年全國發明表揚計畫的帝國發明獎肯定，並榮獲 2021 年 IEEE Andrew S. Grove 獎。

在「以『記憶體』驅動世界前進」的使命引導下，鎧俠致力從事研究和技術開發，為全球帶來價值。