東芝記憶體與威騰電子合資 6 號晶圓廠與記憶體研發中心於日本四日市盛大開幕

2018 年 9 月 19 日，日本四日市及加州聖荷西訊 － 東芝記憶體公司與威騰電子 (Western Digital Corporation) (NASDAQ: WDC) 合資新建的先進半導體製造廠區 6 號晶圓廠 (Fab 6) 及記憶體研發中心，今日在日本三重縣四日市盛大開幕。

東芝記憶體於 2017 年 2 月啟動 Fab 6 的興建工程，此晶圓廠預定作為 3D 快閃記憶體專屬的生產廠區。東芝與威騰合作部署最尖端的製造設備，用於沉積和蝕刻等關鍵製程。採用全新晶圓的 96 層 3D 快閃記憶體已自本月初開始量產。

企業伺服器、資料中心和智慧型手機的需求不斷成長，也預計在未來數年持續看旺，為因應這項市場趨勢，公司將加碼投資以擴大產能。

另一方面，與 6 號晶圓廠毗鄰的記憶體研發中心已於今年三月開始營運，負責鑽研並推動 3D 快閃記憶體的開發進程。

東芝記憶體與威騰電子將繼續合作，深耕並拓展其在記憶體產業中的領導地位，積極開發各項計畫，專注於強化競爭力、推動 3D 快閃記憶體的聯合開發案，並進行適當資本投資，妥善因應市場趨勢。

東芝記憶體總裁暨執行長成毛康雄 (Yasuo Naruke) 博士表示：「很高興能有機會為我們最新一代的 3D 快閃記憶體拓展市場，6 號晶圓廠和記憶體研發中心啟用後，鞏固了我們在 3D 快閃記憶體市場的領導地位，我們也確信與威騰電子的合資計畫，將可支持四日市廠區持續製造最先進的記憶體產品。」

威騰電子執行長 Steve Milligan 表示：「我們很榮幸能與重要的合作夥伴 ─ 東芝記憶體共同啟用 6 號晶圓廠和記憶體研發中心，雙方近 20 年來奠定成功的合作關係，更促進了 NAND 快閃技術的成長與創新。」。「我們正在努力加強 96 層 3D NAND 的產能，以因應終端市場商機的多元商機，包括消費性、行動應用以及雲端資料中心等領域。6 號晶圓廠是一座劃時代的製造廠房，可望進一步提升我們領先業界的技術和成本優勢。」