東芝記憶體株式會社開發出採用 QLC 技術的 96 層 BiCS FLASH™

  • 2018 年 7 月 20 日
  • 東芝記憶體株式會社

【東京訊】全球記憶體解決方案領導廠商東芝記憶體株式會社，今日宣布已開發出其專有 3D 快閃記憶體的 96 層 BiCS FLASH™ 原型樣品，該產品採用每單元 4 位元 (四階儲存單元，QLC) 技術，可將單晶片的記憶體容量提升至最高水準。

Prototype sample image of 96-layer BiCS FLASH™, its proprietary 3D flash memory, with 4-bit-per-cell (quad level cell, QLC) technology.

自 9 月初起，東芝記憶體將開始向 SSD 及 SSD 控制器製造商交付樣品供其進行評估，預計於 2019 年開始量產。

QLC 技術的優勢在於，將每記憶體單元的資料位元數從三位元提升到四位元，大幅提升儲存容量。這款新產品在與威騰電子 (Western Digital Corporation) 共同開發的單晶片中，實現了 1.33 TB 的業界最大儲存容量[1]。

該產品還在採用單一封裝的 16 晶片堆疊架構中，實現了無與倫比的 2.66 TB 儲存容量。隨著 SNS 的普及和物聯網的發展，行動終端等設備產生的大量資料會持續增加，即時分析和利用資料的需求預期將大幅增加。這就需要比 HDD 更快速、容量更大的儲存裝置，而使用 96 層製程的 QLC 產品就是解決方案。

新裝置封裝成型的原型機將於 8 月 6 日至 9 日在美國加州聖塔克拉拉的 2018 年快閃記憶體高峰會上展出。

展望未來，東芝記憶體將持續提高記憶體容量及效能，並開發滿足各種市場需求的 3D 快閃記憶體，包括快速擴展的資料中心儲存裝置市場。

註：
1.資料來源：東芝記憶體公司，截至 2018 年 7 月 20 日。